Liiga kõrge sitkuse paagutamise temperatuurtitaanplaatkiirendab titaankarbiidterade moodustumist. Titaankarbiidi kõrge mangaanterasest seotud tsementkarbiidi lõplik paagutamistemperatuur on tavaliselt 1420 °C. Paagutamistemperatuur ei tohiks olla liiga kõrge, nii et sidumisfaas muutub vedelaks faasiks ja metall kaob, nii et kõva faas on külgnev ja läheneb, et moodustada killustatuse allikas.
Loomulikult ei tohiks paagutamise temperatuur olla liiga madal, vastasel juhul on sulam alapõletatud. Lisaks eespool nimetatud vajadusele reguleerida paagutamise temperatuuri ja kiirust, siseneb ahju vaakum vedela faasi paagutamise etappi. Paagutamise ajal on vaja kontrollida ka ahju vaakumkraadi. Liiga kõrge vaakumkraadi tõttu lendub suur hulk vedelat faasi metalli, moodustades komponentide eraldamise. Eriti kolmes segamise, taastumise ja vedela faasi paagutamise etapis ei sobi paagutamise ajal kuumutamise kiirus selliste sulamite jaoks.
Titaanplaadi pinda ja sisemist sitkust tuleb rangelt kontrollida kuumutamiskiiruse ja hoidmisaja jooksul. Kuna madalatemperatuurilises degumming etapis vabastab tihendus survestressi ja moodustuv aine lendub. Kui kuumutamiskiirus on kiire, on moodustuv aine liiga hilja, et lenduda ja muutub pärast veeldamist auruks, põhjustades tihenemise lõhkemise või pragunemise;
On vaja anda piisavalt aega, et kompaktne eemaldada lenduvad ained ja hapnik tooraine pulbris (nagu Mn2Fe peasulam); vedela faasi paagutamisetappi sisenemisel tuleb kuumutamiskiirust aeglustada, et kompaktne täielikult sulada. Terasest seotud tsementkarbiidi paagutamise põhimõte on märgumise põhimõte, mis võimaldab vedelal faasil tahke faasi (kõva faasi) täielikult niisutada, vastasel juhul sadestatakse vedelafaasiline metall FeMn kompaktse pinnale ja isegi kaob.
