Titaanterasest komposiitplaatSellel pole mitte ainult titaani korrosioonikindlust, vaid ka süsinikterase suurepärane keevitatavus, vormitavus ja soojusjuhtivus ning see säästab ka väärtuslikku titaanmetalli. Titaanterasest plakeeritud plaate kasutatakse nende suurepärase jõudluse tõttu laialdaselt meretööstuses, naftatööstuses, elektri- ja tuumaenergeetikas ning muudes valdkondades. Praegu on peamised tootmismeetodidtitaaniga kaetudterasesttaldrikudon plahvatusohtlik kattemeetod, plahvatusvaltskatte meetod ja otsevaltsimise meetod. Võrreldes plahvatusohtliku kattemeetodi ja plahvatusvaltskatte meetodiga, võib otsevaltsimismeetodi abil toota laia plaadilaiuse, õhukese katte ja ühtlaste liideseomadustega plakeeritud plaate. Eespool nimetatud erinevate meetodite hulgas saab pindadevahelise sidemetugevuse piiratuse tõttu titaan-terasest komposiitmaterjalide valmistamiseks tootmises kasutada ainult plahvatusohtlikku kattekihti. Peamine valtsitud plakeeritud plaadi sidumistugevust piirav tegur on intermetalliliste ühendite moodustumine liideses ning pinnatöötlusmeetod, valtsimistemperatuur, liidese struktuur ja liidese karbiidid mõjutavad metallidevaheliste ühendite kasvu.
Titaan-terasest komposiitplaadi nihketugevuse probleemi lahendamiseks kasutasid eelkäijad metallist vahekihi lisamise meetodit, et reguleerida komposiitliidese elementide difusiooni ja parandada liidese sidumistugevuse tõhusaid vahendeid, nagu Ni. , V, Nb, Mo, Cu, IF teras ja puhas raud. Metalli vahekihi lisamine lahendab küll Fe-Ti ühendite moodustumise probleemi, kuid sellega kaasnevad ka mõned muud probleemid, mistõttu titaanterasest plakeeritud plaadi nihketugevust ei saa parandada ega isegi vähendada. Metallist vahekihte, nagu Nb ja Mo, mis võivad Ti-ga lõpmatult seguneda, saab hästi ühendada titaanterasest plakeeritud plaadi titaani poolega, kuid kuumvaltsimine 950 °C juures tekitab terase ühenduskohas suure hulga mikropoore. külg, Komposiitplaadi nihketugevus väheneb; Titaaniga piiratud tahke lahusega metalli vahekiht, nagu Ni ja Cu, moodustab titaaniga uue intermetallilise ühendi, mistõttu see ei saa tõhusalt parandada titaan-terasest komposiitplaadi nihketugevust. , Rullimine ja segamine rohkem kui 900 kraadi juures isegi väheneb.
Praegu on raske valida vahekihti, mis suudaks samaaegselt hästi kombineerida Fe ja Ti liidese struktuuridega. GR3 süsinikterase ettevalmistusprotsessis tekkiva liidestoote TiC kasutamine võib saada oluliseks meetodiks titaan-teras komposiitmaterjalide liidese tugevuse lahendamiseks. Võrreldes Fe-Ti intermetalliliste ühenditega on TiC-l paremad mehaanilised omadused ja TiC moodustumise standardne molaarne Gibbsi vaba energia on madalam. Praegu ei saa ainult valtsimisprotsessile tuginemine tagada TiC stabiilset olemasolu sidumisliideses. Kui valtsimise temperatuur on üle 850 kraadi, laguneb TiC termilise pinge mõjul ja ei saa stabiilselt eksisteerida. Selleks, et TiC eksisteeriks liidesel stabiilselt, tuleb valtsimistemperatuuri langetada alla 850 kraadi, mis põhjustab praktilistes rakendustes kaks probleemi: üks on see, et mõned alusmaterjalis olevad karbiidid ei saa lahustuda, mis mõjutab veeremi mehaanilisi omadusi. ettevalmistatud materjal; Teine on valtsimine temperatuuril alla 850 kraadi. Praegu seisab enamik valtsimistehaseid silmitsi ebapiisava valtsimisvõimsuse probleemiga. Selles kontekstis on vaja leida komposiitliidese juhtimismeetod, mis suudaks mõõdukalt tõsta komposiitvaltsimise temperatuuri ja tagada liidese sidumistugevuse.
(1) Pärast GR3 modifitseerimist Ga elemendiga on titaani poole liidese struktuur -Ti, mis teostab titaanipoolse liidese struktuuri juhtimist ning Fe ja C difusioon titaani poolele on oluliselt vähenenud.
(2) Pärast titaanist külgmise liidese struktuuri reguleerimist moodustub ühendusliideses üks TiC kiht. 850-900 kraadi juures TiC kihi paksus oluliselt ei muutu, mis on vastavalt 190 ja 180 nm, kuid osa hajutatud TiC-st kaob ja muutub pidevaks ja ühtlaselt jaotuvaks TiC-kihiks; kui temperatuur tõuseb 950 kraadini, on TiC paksus järsk tõus 510 nm.
(3) Titaan-terasest plakeeritud plaadi nihketugevus on 225, 235 ja 140 MPa valtsimistemperatuuridel 850, 900 ja 950 kraadi pärast titaanipoolse liidese mikrostruktuuri reguleerimist. Kui valtsimistemperatuur on 900 kraadi, saab tagada titaanterasest plakeeritud plaadi nihketugevuse, suurendades samal ajal titaanterasest plakeeritud plaadi valtsimistemperatuuri ja vähendades valtsimisseadmete koormust.
Baoji Taicheng Metal Co., Ltd on professionaaltitaanist terasest plakeeritud plaadid tarnija. Meie ettevõte on varustatud täieliku ja professionaalse personaliga kõigis lülides alates uurimis- ja arendustegevusest kuni tootmise ja töötlemiseni kuni müügini. Olenemata sellest, kas olete huvitatud meie toodetest või soovite tootega seotud teadmisi saada, võtke meiega ühendust!
